今天（7月29日），杭州士兰微电子股份有限公司发布公告称，其子公司士兰明镓的6吋SiC线项目已启动，总投资15亿元，年产能超过14万片。
公告显示，2017年12月，士兰微与厦门半导体投资集团有限公司门共同签署合作协议，总投资 50 亿元，共同投资设立厦门士兰明镓化合物半导体有限公司，其中一期总投资 20 亿元，已于2019年12月举行了投产仪式。
截至2021年底，士兰明镓一期项目已完成20亿元投资，形成了每月 7.2 万片 4 英寸 GaN 和 GaAS高端 LED 芯片的产能。
而二期将建设“SiC 功率器件生产线项目”，士兰微在公告中宣布今天正式启动。
根据公告，士兰明镓拟建设一条 6 吋 SiC 功率器件芯片生产线，项目总投资为 15亿元，建设周期 3 年，最终形成年产14.4万片6吋SiC功率器件芯片的产能，主要产品为SiC MOSFET、SiC SBD。该项目已于今年7月29日取得了《厦门市企业投资项目备案证明》。
士兰微在今年Q1的财报中曾提到，他们的SiC功率器件的中试线已在2021年二季度实现通线，并且已完成车规级SiC MOSFET器件的研发，正在做全面的可靠性评估，将要送客户评价并开始量产。
除了碳化硅产品外，士兰微也在加大IGBT等方面产线建设。其财报显示，2022年士兰微还将推进“汽车级和工业级功率模块和功率集成器件封装生产线建设项目一期”、“成都士兰二期厂房及配套设施建设项目”、“成都士兰12寸硅外延片扩产项目”三个非募集资金项目。
- 7月12日，成都士兰半导体（二期）项目芯片封装厂房封顶仪式举行。
- 6月15日，士兰微发布公告称，拟通过控股子公司成都士兰半导体制造有限公司投资建设“年产720万块汽车级功率模块封装项目”，该项目总投资为30亿元。
2021年度，士兰微公司实现营业收入71．94亿元，同比增长68．07％；归属于上市公司股东的净利润为15．18亿元，同比增长2145．25％。
2021年，士兰微电源管理芯片、MEMS 传感器、IPM、MOSFET、IGBT、SBD、TVS、FRD、LED 等产品的营业收入大幅增长。而士兰微的V代IGBT和FRD芯片的电动汽车主电机驱动模块，已在国内多家客户通过测试，并已在部分客户批量供货。
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